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嵌入式非揮發性記憶體矽智財（eNVM IP）廠力旺電子（3529）宣布其嵌入式可多次編寫記憶體矽智財NeoMTP已於以色列晶圓代工廠高塔半導體（TowerJazz）0.18微米BCD（雙極／互補／擴散金氧半導體）製程平台完成可靠度驗證，即日起可供使用。

力旺表示，為因應無線充電及USB Type-C客戶強勁需求，與TowerJazz在專攻電源管理應用的BCD製程上合作，等於又完成了一項重大布局。

而除了NeoMTP外，力旺近日還會與TowerJazz合作，在65奈米5V RF CMOS製程開發可一次編寫記憶體矽智財NeoBit設計，以滿足射頻（RF）和5G等通訊應用需求。

力旺向來是電源管理IC的eNVM IP最大供應商，為了因應無線充電和Type-C市場強勁需求，力旺已陸續在台積電、聯電等全球各大晶圓廠BCD製程建構其eNVM IP解決方案。

此次力旺在TowerJazz的0.18微米1.8V/5V BCD製程通過驗證的NeoMTP矽智財有幾項重要技術突破，包括更寬廣的操作電壓區間、車規等級的耐熱性、及記憶體在反覆編寫1,000次情況下還能維持10年以上的資料保留時間。

這些突破都有助IC設計廠達到車規的高溫、高耐受度要求。

力旺已公告第二季財報數字。

受到智慧型手機廠去化庫存影響，力旺第二季合併營收季減19.3％達3.02億元，較去年同期減少9.0％，營業利益率因此降至39.2％，歸屬母公司稅後淨利季減33.7％達1.12億元，較去年同期減少17.6％，每股淨利1.48元。

力旺上半年合併營收6.77億元，較去年同期成長1.2％，營業利益率年增1.4個百分點達44.3％，歸屬母公司稅後淨利2.81億元，約與去年同期持平，上半年每股淨利3.71元，表現略低於市場預期。

不過，隨著下半年智慧型手機生產鏈進入旺季，力旺可望受惠於電源管理IC、面板驅動IC等出貨放量而增加權利金收入，再加上力旺在指紋辨識、無線充電、Type-C、以及5G射頻等新應用成長快速，法人看好力旺最壞情況已過，下半年營運將逐季快速成長，今年營收及獲利仍將優於去年。