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（中央社記者張建中新竹2017年11月15日電）三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NAND Flash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NAND Flash恐將供過於求。

IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%；其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾（Intel）與台積電的總和還多。

三星今年的資本支出主要投入3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash），將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態隨機存取記憶體（DRAM）製程技術，並彌補因製程轉換造成的產能損失。

在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴增10奈米製程產能。

除三星投入鉅額資本支出，SK海力士（Hynix）與美光（Micron）等三星競爭對手資本支出也將顯著增加，IC Insights認為，這恐將引發3D NAND Flash市場供過於求。