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功率半導體元件的歷史最早可以追溯至 1950 年代，當時使用矽 (Silicon)、鍺 (Germanium) 材料製作 PN 二極體及閘流體 (Thyristor)， 60多年以來矽(Silicon)一直都是電子產品、電氣組件中的基礎材料，廣泛用於開關元件，交流電與直流電轉換，並調整直流電壓以滿足從微型零組件到大型工業機器控制等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續改進和優化，而物理學上的材料極限使矽材料無法跨越極端溫度和電壓環境應用的鴻溝。過去以矽為材料的功率元件包括二極體(bipolar)、功率金氧半場效電晶體 (power MOSFET)、絕緣柵雙極電晶體 (Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)等，曾經滿足了部分應用的需求，但是，未來在5G、電動汽車、再生能源、快速充電等新應用上，必須要性能與可靠度之耐受性更高的材料因應，運用寬能隙材料取代矽基在高階功率元件的應用將逐漸普及，氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)在未來的功率半導體與射頻功率應用將扮演著重要角色。

【內容大綱】

• 一、 GaN的沿革與發展
• 二、 GaN技術現況與應用
• 三、 GaN的潛在機會
• 四、 5G翻轉GaN之成長速度
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖1、GaN之關鍵應用與發展
• 表一、GaN磊晶成長於各種基板之特性比較
• 圖2、全球GaN成長預測
• 圖3、GaN之功率(Power)應用預測
• 圖4、RF功率半導體之應用頻寬
• 圖5、RF GaN市場成長預測