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        電動車功率半導體技術發展趨勢
        Technology Development Trends of Power Semiconductor in EV/HEV
        • 2021/06/18
        • 406
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        功率半導體在EV/HEV應用上具有關鍵地位,目前主導市場的兩種功率半導體是Si IGBT及SiC MOSFET元件。傳統Si IGBT元件具有成本優勢,且技術不斷提升;新一代化合物半導體SiC MOSFET則有性能優勢,但成本仍高。本文主要針對車用功率半導體Si IGBT及SiC MOSFET的技術發展進行說明,介紹這兩種功率半導體技術發展方向及面臨的技術挑戰,希望能提昇產業對功率半導體技術的瞭解,以及對功率半導體在EV/HEV的應用有更深入認識。

        【內容大綱】

        • 一、EV/HEV功率半導體及市場趨勢
        • 二、Si IGBT功率半導體技術發展
        • 三、SiC 功率半導體技術發展
        • IEKView
         

        【圖表大綱】

        • 圖1、Si及SiC半導體材料物理特性比較
        • 圖2、EV/HEV功率半導體市場預測
        • 表1、120kW Si IGBT逆變器與180kW SiC逆變器在EV/HEV應用效益比較
        • 圖3、不同行車形態下Si IGBT及SiC MOSFET效益比較
        • 圖4、不同Si IGBT功率半導體結構
        • 圖5、RC-IGBT元件結構
        • 圖6、整合感測器之Si IGBT功率半導體
        • 圖7、不同的SiC功率半導體結構
        • 圖8、SiC MOSFET問題及整合SBD的SiC MOSFET結構

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