i卡會員

功率半導體在EV/HEV應用上具有關鍵地位，目前主導市場的兩種功率半導體是Si IGBT及SiC MOSFET元件。傳統Si IGBT元件具有成本優勢，且技術不斷提升；新一代化合物半導體SiC MOSFET則有性能優勢，但成本仍高。本文主要針對車用功率半導體Si IGBT及SiC MOSFET的技術發展進行說明，介紹這兩種功率半導體技術發展方向及面臨的技術挑戰，希望能提昇產業對功率半導體技術的瞭解，以及對功率半導體在EV/HEV的應用有更深入認識。

【內容大綱】

• 一、EV/HEV功率半導體及市場趨勢
• 二、Si IGBT功率半導體技術發展
• 三、SiC 功率半導體技術發展
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖1、Si及SiC半導體材料物理特性比較
• 圖2、EV/HEV功率半導體市場預測
• 表1、120kW Si IGBT逆變器與180kW SiC逆變器在EV/HEV應用效益比較
• 圖3、不同行車形態下Si IGBT及SiC MOSFET效益比較
• 圖4、不同Si IGBT功率半導體結構
• 圖5、RC-IGBT元件結構
• 圖6、整合感測器之Si IGBT功率半導體
• 圖7、不同的SiC功率半導體結構
• 圖8、SiC MOSFET問題及整合SBD的SiC MOSFET結構