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碳化矽(SiC)是半導體行業廣泛使用的材料，屬於寬能隙半導體集群之一，與矽(Si)和其他替代材料相比，具有眾多優勢；SiC為高壓功率半導體提供了極具吸引力的特性在熱導率方面與耐高電廠衝擊，超越了其他材料，是目前高功率元件應用上可以達到最佳效率之材料。碳化矽廣泛用於製造碳化矽分立器件和裸晶，其中碳化矽分立器件提供低漏源導通電阻(RDS-ON)—比矽元件低約300-400倍件，有望佔市場主導地位。又國際對於節能減碳之政策逐漸明朗，各類能源應用之電力器件無不朝高效率發展，例如電動車之動力驅動器件，充電輸入/輸出之電力轉換，綠能之轉能，甚至軌道車驅動，針對高電壓或耐高電場之開關或控制元件需求日益增加，為使特性能及時跟進市場應用腳步，碳化矽之角色日益關鍵，也將帶動半導體發展另一波熱潮。

【內容大綱】

• 一、碳化矽簡介
• 二、碳化矽之新興市場與關鍵應用
• 三、碳化矽的技術挑戰
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【圖表大綱】

• 表1、碳化矽半導體之類型與應用
• 圖1、碳化矽之關鍵應用元件市場
• 圖2、碳化矽之前段應用產業鏈與關鍵標竿廠商關聯圖
• 圖3、碳化矽半導體之市場成長預估
• 圖4、碳化矽半導體之產業應用與成長預估