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β-氧化鎵(β-Ga₂O₃)晶型的功率電子品質因數(Baliga’s figure of merit，BFOM=ɛμE_c³)比Si高3,000倍以上，但氧化鎵的熱導率較低(對於功率電子元件的應用而言，其散熱特性很重要)。近期，氧化鎵材料的高理論性能已通過二極體和電晶體元件製造實驗得到應證。最重要的是，高品質的氧化鎵(Ga₂O₃)單晶可以透過相對單純的熔體製程當中進行單晶提拉與生長，其生長製程類似使用於製造較成熟的矽單晶或藍寶石(Al₂O₃)晶體的技術，和目前相對成熟的寬能隙(Wide Band Gap)半導體材料相比，例如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)，基於氧化鎵(Ga₂O₃)的新興替代WBG功率電子技術有可能通過提供更低的生產成本和更高的材料性能來解決性價比權衡問題。

【內容大綱】

• 一、氧化鎵材料特性與研究背景
• 二、氧化鎵基板製造技術與應用介紹
• 三、氧化鎵基板市場趨勢與未來展望
• 四、主要廠商發展動態
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖1、半導體高功率元件材料崩潰電場和導通電阻的比較
• 圖2、寬能隙β-氧化鎵半導體特性比較表
• 圖3、1975年至2020年關於Ga2O3的論文數量。以標題中包含“Ga2O3”為標準檢索論文(數據：截至2021/11/30的Web of Science)
• 圖4、氧化鎵Ga2O3同分異構物的晶體結構相互轉換關係
• 圖5、具有實際應用前景的各種化合物半導體的能隙與鍵長之間的關係
• 圖6、氧化鎵單晶生長方法
• 圖7、氧化鎵基板製程與單位理論生產成本分析
• 圖8、氧化鎵基板市場規模與趨勢
• 圖9、氧化鎵製程技術領導廠商與研究領域
• 圖10、氧化鎵基板製造主要廠商與市場分析
• 圖11、NCT氧化鎵基板品質規格
• 圖12、Kyma氧化鎵HVPE設備、基板及元件等產品
• 圖13、FLOSFIA功率模組業務的獨特性