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        化合物半導體主要廠商技術及產品進展現況
        Current Status of Technology and Product Progress in Major Suppliers of Compound SemiconductorCurrent Status of Technology and Product Progress in Maj
        • 2022/12/21
        • 2013
        • 95

        近年來隨著5G基地台、電動車、充電樁、伺服器等產業迅速發展,高頻、高功率半導體元件及IC需求大幅增長;而高效能、低能耗的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角。各主要大廠也針對其專長領域推出其產品,本文將主要廠商技術及產品進展現況進行說明。

        【內容大綱】

        • 一、前言
        • 二、碳化矽技術及產品規格現況
          • (一)意法半導體(STMicroelectronics)
          • (二)英飛凌(Infineon)
          • (三)Wolfspeed
          • (四)羅姆半導體(ROHM)
          • (五)安森美(onsemi)
          • (六)GeneSiC
          • (七)碳化矽功率模組
        • 三、氮化鎵功率元件技術及產品規格現況
          • (一)Power Integrations(PI)
          • (二)Navitas
          • (三)GaN Systems
          • (四)Transphorm
          • (五)英飛凌(Infineon)
        • 四、氮化鎵射頻元件技術及產品規格現況
          • (一)Qorvo
          • (二)NXP
          • (三)Wolfspeed
          • (四)住友電氣(Sumitomo Electric)
          • (五)Macon
        • IEKView
        • 參考文獻
         

        【圖表大綱】

        • 表1、碳化矽元件及使用基板規格(150mm)
        • 表2、意法半導體SiC MOSFET產品規格
        • 表3、英飛凌SiC MOSFET產品規格
        • 表4、Wolfspeed SiC MOSFET產品規格
        • 表5、ROHM SiC MOSFET產品規格
        • 表6、onsemi SiC MOSFET產品規格
        • 表7、GeneSiC SiC MOSFET產品規格
        • 表8、SiC功率模組產品規格
        • 表9、Power Integrations GaN IC產品規格
        • 表10、Navitas GaN IC產品規格
        • 表11、GaN Systems GaN IC產品規格
        • 表12、Transphorm GaN HEMT功率產品規格
        • 表13、英飛凌GaN HEMT功率產品規格
        • 表14、Qorvo射頻元件產品規格
        • 表15、NXP射頻元件產品規格
        • 表16、WolfSpeed射頻元件產品規格
        • 表17、Sumitomo Electric射頻元件產品規格
        • 表18、Macon射頻元件產品規格

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