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高頻寬記憶體作為新世代AI與高效能運算的關鍵元件，在近年來受到前所未有的關注。隨著大型語言模型、生成式AI與雲端資料中心的需求快速成長，GPU與AI加速器對記憶體的頻寬、容量與能效提出極高要求，傳統GDDR6顯示記憶體逐漸無法滿足需求，HBM因其高頻寬、低功耗與3D堆疊封裝的優勢，成為AI晶片的最佳搭檔。

在此背景下，全球三大DRAM巨頭SK海力士、三星電子與美光，成為HBM供應市場的核心力量。三家公司在技術突破、市場策略與供應鏈關係上各有不同，也呈現競合格局。本文將依序探討HBM技術演進、三大廠競合態勢、未來發展趨勢，並提出比較與觀察。

【內容大綱】

• 一、HBM技術概述
  • (一)HBM的技術特點與挑戰
• 二、三大HBM廠商的市場、技術與策略
  • (一)SK海力士
  • (二)三星電子
  • (三)美光
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖1、三大記憶體廠商DRAM節點對標與時程
• 圖2、美光DRAM 1α、1β、1γ節點的技術推進比較
• 圖3、HBM整體技術架構
• 圖4、三大廠HBM3E及HBM4的規格時程
• 圖5、三大廠競爭優勢比較