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本文探討寬能隙半導體材料市場潛力，碳化矽與氮化鎵功率元件成功普及。碳化矽、氮化鎵基板挑戰矽基半導體地位。氮化鎵磊晶基板製造技術進步，企業競爭力依賴矽基板氮化鎵磊晶層與自家元件整合。氮化鎵單晶基板朝大尺寸實用化與研發邁進。碳化矽元件市場需求增長，全球碳化矽基板供不應求。為滿足市場需求及保持競爭力，企業需加大技術研發、產能規模及應用領域投入。政府應提供政策支持，如稅收優惠、研發資金等，並加強人才培養與引進，確保行業持續發展。寬能隙半導體材料與設備市場具巨大潛力，企業、政府與行業需共同努力，積極開發與應用新型半導體材料，推動產業持續發展與創新。

【內容大綱】

• 一、寬能隙(WBG)半導體材料的崛起：高成長潛力與明確發展趨勢
• 二、車用功率元件產業的需求與市場趨勢
• 三、全球化合物半導體市場概況
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖1、功率半導體材料特性與應用領域
• 圖2、功率元件及半導體材料預估市場規模
• 圖3、xEV與功率半導體材料市場趨勢
• 圖4、各式電動車相關的功率半導體市場趨勢
• 表1、重大合作事件摘要
• 圖5、各式電動車採用的功率元件類型
• 圖6、化合物半導體基板市場規模與趨勢變化(USD $M)
• 圖7、全球氮化鎵材料主要供應商
• 圖8、寬能隙功率半導體應用與操作範圍示意圖
• 圖9、全球碳化矽基板主要供應廠商
• 圖10、全球碳化矽基板市場供需情況
• 圖11、功率元件設備市場規模與佔比趨勢
• 圖12、SiC MOSFET元件前段製程主要步驟