i卡會員

顯示器的設計趨勢朝向更輕薄以及更省電的方向發展，從過去厚重的CRT逐漸演變成輕薄的OLED與Mini-LED顯示器，而與目前市場上熱門OLED相比，由於Micro-LED 尺寸小、晶片密度更高，因此Micro-LED顯示器可以實現相當高的解析度，並且具有更高的亮度及更快的反應速度，可達到ns等級，也可避免動態殘影的問題，特別是所需驅動的電流更小，耗能更低。Micro-LED顯示器的結構，相較於TFT-LCD顯示器會簡化許多，可以省去背光模組、導光板、液晶、彩色濾光片、偏光片。Micro-LED元件尺寸將從平板顯示擴展到可見    光通訊、車載應用、醫療探測、虛擬與擴增實境等高畫素之穿戴式裝置上。

【內容大綱】

• 一、前言
• 二、Micro-LED遭遇之瓶頸與解決方法
  • (一) Micro-LED尺寸效應（size-dependent effect）
  • (二) 巨量轉移技術(Mass-transfer technology)困境
• 三、Micro-LED之未來展望

【圖表大綱】

• 圖一、(a) 郭浩中教授與2014年諾貝爾物理學獎得主Nakamura及PlayNitride CEO李允立的合照 (b)為郭浩中教授與香港科技大學劉紀美教授的合照
• 圖二、(a)2018年三星146寸Micro-LED TV「The Wall」　(b) 2019年Sony展示8K“Crystal LED”螢幕
• 圖三、Micro-LED相關技術的發展歷史
• 表一、各類顯示器特性比較表
• 圖四、實現Micro-LED產業化的技術瓶頸示意圖
• 圖五、可見光通訊之主要用途
• 圖六、(a)100×100 µm2 AlGaInP Micro-LED的電致發光光譜及不同尺寸的元件發光影像圖 (b)LED尺寸與EQE的關係圖
• 圖七、(a)Micro-LED使用ALD沉積SiO2做為側壁鈍化之結構示意圖 (b) 10 µm、20 µm、40 µm之Micro-LED元件，側壁鈍化前後之發光影像圖
• 圖八、常見巨量轉移的方法，紅色、綠色、藍色LED分別磊晶製程後，透過巨量轉移的方式轉移到玻璃基板上
• 圖九、(a)量子點噴塗全彩Micro-LED顯示器 (b) SIJ實現10 μm x 10 μm全彩Micro-LED畫素
• 圖十、奈米環微型發光二極體陣列SEM影像(a)奈米環形微型發光二極體元件俯視圖 (b) 奈米環形微型發光二極體元件側向圖與(c)光致發光的強度圖
• 圖十一、量子點混合式微型發光二極體之(a)電激發光譜及(b)CIE-1931色域座標
• 圖十二、(a)c-plane和半極化Micro-LED的電流與波長關係圖 (b) c-plane和半極化Micro-LED在不同的注入電流下、CIE 1931色域圖
• 圖十三、Micro-LED未來應用及技術發展趨勢示意圖
• 圖十四、未來五年預期穿戴式Micro-LED顯示器產量(千台)