2020寬能隙電力電子進入電動車市場機會-碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)
Wide bandgap power electronic enter the electric vehicle market opportunities in 2020
- 2016/01/04
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【內容大綱】
- 一、寬能隙（WBG）電力電子定義
- (一) 碳化矽元件
- (二) 氮化鎵
- 二、車用SiC或GaN市場預測
- 三、IEKView
【圖表大綱】
- 表1、寬能隙材料與矽的物理特性比較表
- 圖1、Cree 的600V/10A SiC SBD產品
- 圖2、Rohm的第三代SiC Double Trench MOSFET的結構示意圖
- 圖3、碳化矽晶圓大小的演進
- 圖4、1200V SiC MOSFET跟Si IGBT 比較
- 圖5、Cree推出的全碳化矽功率模組（All SiC power module）
- 表2、材料晶格常數與熱膨脹係數
- 圖6、完整的GaN/Si產業供應鏈地圖
- 圖7、Panasonic開發的GaN/Si IC技術
- 圖8、Infineon 採用的cascode configuration
- 圖9、車用功率元件對應汽車對應的條件
- 圖10、車用功率元件性能比較雷達圖
- 圖11、車用功率元件性能比較雷達圖
- 圖12、2016~2023年車用功率元件市場預測平均單價