奈米電子產品-MRAM…ITRS列為最新的下一代記憶體 2002/05/08 983 3 游李興 訂閱(0) 全選 取消選取 確認訂閱 IC產業IC元件與技術IC應用與市場 #電阻 #強磁性層 #奈米 奈米電子產品-MRAM…ITRS列為最新的下一代記憶體 一、MRAM:短期內最可能實用化!ITRS列為最新的下一代記憶體! 二、磁電阻現象:GMR、TMR 三、MRAM記錄0與1的方式:非揮發性! 四、MRAM所使用的技術:GMR、TMR 五、MRAM:密度如DRAM、速度如SRAM、CMOS製程相容 六、MRAM的發展:國家型計畫支持、廠商合作開發 本文為 K卡會員相關模組訂戶 限閱文章, 請先登入或升級。 本文檔案奈米電子產品-MRAM…ITRS列為最新的下一代記憶體.pdf3次 下載檔案 推薦閱讀