二元氧化物之電阻式記憶體發展現況與挑戰 2012/03/19 2736 78 吳岱原、李亨元、陳佑昇、彭茂榮 訂閱(0) 全選 取消選取 確認訂閱 IC元件與技術 #元件 #記憶體 #電阻 一、主流記憶體面臨製程微縮大挑戰 二、電阻式記憶體技術興起 三、RRAM近年國際研究成果 四、二元氧化物HfOx RRAM成果 五、未來挑戰 (一)TiN/AlOx/TiOx/TiN (Samsung, Korea) (二)TiON/WOx/W/TiN (NDL, Taiwan) (三)Pt/Zr/HfO2/TiN (GIST, Korea) (四)Ti/Al/N:AlOx/Al (Stanford Uni., USA) (五)Ni/HfOx/AlOy/Si (Nanyang Uni., Singapore) (六)Pt/Ta2O5/TaOx/Pt (Samsung, Korea) 本文為 K卡會員相關模組訂戶 限閱文章， 請先登入或升級。 本文檔案二元氧化物之電阻式記憶體發展現況與挑戰.pdf78次 下載檔案 推薦閱讀