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從半導體技術發展趨勢看記憶體新世代的來臨

2010/08/06
3481
70

彭茂榮

#記憶體 #製程 #研發

簡報大綱

簡報內容

從半導體技術發展趨勢看記憶體新世代的來臨 — NO.1

報告摘要 — NO.2

報告大綱 — NO.3

功能不斷整合以及時滿足市場需求  以消費者需求為核心、而非技術導向 — NO.4

從未來應用情境與需求驅動力→ 轉化為關鍵領域與關鍵技術 — NO.5

雲端運算趨勢  帶動儲存(storage)需求商機 — NO.6

報告大綱 — NO.7

半導體技術大勢→More Moore v.s More than Moore — NO.8

曝光設備不斷演進→以滿足製程微縮需求資料來源 — NO.9

No Proven Optical Solution below 22nm — NO.10

隨著製程快速推進→在相同晶片面積大小下，約每2年容量倍增 — NO.11

CMOS效能提升的驅動力→從製程微縮轉向多元創新 — NO.12

半導體往微小化與功能整合趨勢發展  高度整合晶片時勢所趨 — NO.13

智慧型手機對Low Power DRAM及NAND Flash需求快速成長 — NO.14

iPhone 3G→iPhone 3GS — NO.15

iPhone 4拆解 — NO.16

Memory + Logic從PoP到TSV  縮小體積、降低功耗、提升速度 — NO.17

報告大綱 — NO.18

DRAM和NAND Flash為全球記憶體兩大支柱 — NO.19

從系統架構看記憶體應用層級(Memory Hierarchy) — NO.20

新世代記憶體(Emerging Memory)的種類 — NO.21

產品生命週期(Product Lifecycle) — NO.22

新世代記憶體技術Hype Cycle — NO.23

新世代記憶體研發進展 — NO.24

新世代記憶體的種類(揮發性Volatile Memory) — NO.25

ZRAM (Zero Capacitor RAM) and TRAM(Thyristor RAM) — NO.26

新世代記憶體的種類(非揮發性Non-Volatile Memory) — NO.27

萬能記憶體(Universal Memory)必備特性  Access+Storage — NO.28

新世代記憶體成本/效能比較示意圖  持續進展中 — NO.29

全球FeRAM的發展 — NO.30

全球PCM的發展 — NO.31

全球MRAM的發展 — NO.32

全球RRAM的發展 — NO.33

國內外廠商投入新世代記憶體概況(一) — NO.34

國內外廠商投入新世代記憶體概況(二) — NO.35

工研院研發RRAM具優異研發成果 — NO.36

韓國Memory具龍頭領先地位，從3構面為客戶帶來新價值 — NO.37

三星提出PCM之Instant-architecture應用架構 — NO.38

三星以PCM取代NOR Flash  從手機應用往其他應用邁進 — NO.39

三星及海力士在STT-MRAM合作發展  為450mm之載具 — NO.40

新世代記憶體產品化時程預估 — NO.41

新世代記憶體對主流記憶體產業帶來新衝擊 — NO.42

報告大綱 — NO.43

Memory具重要戰略地位，世界各國兵家必爭之地，台灣是關鍵 — NO.44

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