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國內ⅢⅤ族半導體代工產業發展趨勢

2002/03/19
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趙鵬程

#砷化鎵 #磊晶 #晶片

簡報大綱

簡報內容

III-V 族半導體的特性 — NO.1

III-V 族半導體的特性 — NO.2

砷化鎵IC產品之主要應用 — NO.3

III-V族半導體目前市場規模 — NO.4

台灣產業需求 - 以手機中的 R F I C 為例 — NO.5

砷化鎵IC產業風雲 — NO.6

砷化鎵技術/應用結構 — NO.7

III – V 族半導體主力技術:GaAs pHEMT 及HBT — NO.8

砷化鎵元件技術比較 — NO.9

新一代之手機PA技術: E-mode pHEMT — NO.10

無線通訊元件技術比較 — NO.11

砷化鎵與矽鍺技術之比較 — NO.12

GaAs on Si – 劃時代技術突破 — NO.13

GaAs on Si 技術之優勢 — NO.14

台灣砷化鎵上、中、下游產業結構 — NO.15

台灣砷化鎵磊晶代工廠商 — NO.16

台灣砷化鎵磊晶業概況 — NO.17

磊晶業之挑戰 — NO.18

國內晶圓代工產業中的資源 — NO.19

晶圓代工產業發展之價值傳遞 — NO.20

MOCVD HBT 磊晶片製造流程 — NO.21

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