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　根據外電報導，全球最大記憶體廠韓國三星電子已不打算犧牲利潤搶市占率，法人圈指出，因為記憶體價格自去年以來跌幅太多，三星可能會大砍今年資本支出40億美元，約較去年減少31％，這代表DRAM及NAND Flash市場供給過剩情況將獲得改善，價格將逐漸回穩。

　法人指出，若三星真的在月底法說會中，說明今年投入記憶體的資本支出將明顯減少的話，的確有助於DRAM及NAND Flash價格回穩，其中，DRAM市場的反應會比較明顯，價格有機會出現較大的反彈幅度，對於國內DRAM廠南亞科（2408）、華邦電（2344）等將是一大利多。

　外電報導，外資分析師推估今年全球記憶體資本支出將較去年減少4％，約達502億美元，其中減幅最大的是龍頭大廠三星電子，今年投入記憶體事業的資本支出將較去年減少40億美元規模，年減幅度高達31％。

　其中，三星的DRAM產能有70％轉換至20奈米製程後，DRAM的資本支出將較去年減少26億美元，而三星的西安NAND Flash廠開始量產後，NAND Flash資本支出也會下修10億美元左右。

　至於韓國另一記憶體大廠SK海力士應該也會跟進。報告中預估，SK海力士會較著重於將DRAM製程微縮至20奈米，但不太可能大幅投資3D NAND，因為3D NAND的平均價格並不高，卻有很高的技術門檻。

　業界會有此推估，主要是因為DRAM價格去年大幅下滑，已經壓縮到記憶體廠的獲利能力。由於三星未來發展策略更看重獲利能力，因此，減少資本支出及擴產是很有可能的事，在此一情況下，全球DRAM及NAND Flash的供給量都不會出現失控情況，而且隨著智慧型手機搭載的DRAM及NAND Flash容量提高，將可有效讓價格出現回穩情況。

　集邦科技旗下拓墣產業研究所先前就預估，三星電子今年可能會則逆勢調降整體資本支出約15％，預估會來到115億美元。拓墣表示，2016年三星的智慧型手機業務拓展仍不樂觀，除加速開發創新業務，將更加重視晶圓代工業務，採取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，大規模集成電路業務會維持與2015年35億美元的相同水準。