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記憶體龍頭韓國三星電子傳出暫緩DRAM擴產消息。

據業界消息，三星因為製程轉進1y奈米後無法有效降低單位生產成本，原本第三季於韓國平澤廠（Pyeongtaek）東翼大樓（east wing）2樓擴增每月3萬片DRAM產能的計畫已暫緩。

法人預期下半年進入旺季後，DRAM價格持續看漲到年底，對南亞科（2408）及華邦電（2344）營收及獲利成長將有明顯助益。

由於DRAM供給吃緊且價格持續調漲，三星、SK海力士、美光等三大廠都面臨來自客戶要求擴產的強大壓力。

不過，因DRAM製程由1x奈米微縮到1y奈米的技術難度高，在無法有效降低單位生產成本情況下，近期業界傳出三星暫緩擴產消息。

DRAM製程由20奈米往1x/1y奈米微縮，不僅新產能的設備投資金額創下新高，但晶圓良率提升腳步顢頇，導致單位成本降幅明顯低於預期。

外資分析師指出，在晶圓良率同樣在85％的假設下，三星1y奈米8Gb DDR4單位成本僅比上一代1x奈米減少約11％，也就是說，將1y奈米DDR4良率低於80％，代表單位成本降幅將低於6％，若良率低於75％，1y奈米與1x奈米的DDR4成本幾乎相同，代表製程微縮失去意義。

三星今年初釋出將在平澤廠2樓擴大DRAM產能計畫，包括在西翼樓2樓擴充每月2萬片1x奈米產能，在東翼樓2樓每月擴充7萬片1y奈米產能，其中東翼樓的產能建置包括第二季擴增4萬片，第三季再擴充3萬片。

但因為1y奈米的微縮難度比預期高，無法有效降低單位生產成本，所以第三季擴增3萬片月產能計畫已暫緩，要等到良率明顯提升後才會重啟擴產計畫。

業界認為，龍頭大廠三星在DRAM製程微縮至1y奈米時都遇到成本難以有效降低的困難，其它DRAM廠也會遇到相同難題，所以下半年採用1y奈米DRAM新產能將無法大量開出。

由於下半年進入DRAM市場旺季，目前包括標準型、伺服器、利基型、行動式、繪圖用等不同規格DRAM都供不應求，在此一情況下，下半年DRAM價格應會逐季調漲，指標性的8Gb DDR4現貨價目前約9美元，下半年應會漲破10美元大關。

法人表示，受惠於DRAM強勁需求及價格續漲，南亞科及華邦電下半年營收及獲利成長可期。

其中，南亞科下半年營收將逐季創歷史新高，全年靠本業獲利就可賺逾一個股本。

華邦電下半年季度營收應可持續改寫18年來新高，獲利亦將明顯優於去年。