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根據SEMI（國際半導體產業協會）最新報告，預測2017～2022年之間全球將興建16座功率及化合物半導體晶圓廠，每月投片量將衝上120萬片8吋約當晶圓規模。

法人表示，金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體市場明年續旺，氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等化合物半導體將是未來主流，IDM廠會把晶圓薄化製程大幅委外代工，昇陽半（8028）受惠最大。

SEMI昨公布業界第一份聚焦功率暨化合物半導體領域的全球晶圓廠資料「功率及化合物晶半導體圓廠展望」（Power and Compound Fab Outlook），提供全面性前段半導體晶圓廠資訊，並預測從2017～2022年，全球將興建16個功率暨化合物半導體晶圓廠，整體產能將成長23％，每月投片量將達120萬片8吋約當晶圓。

SEMI台灣區總裁曹世綸指出，隨高端消費性電子產品、無線通訊、電動車、綠能建設、資料中心，還有工業和消費性物聯網應用，對能源效率的標準愈趨嚴格，功率元件所扮演的重要性與日俱增。

功率及化合物半導體市場正在快速成長。

其中，MOSFET及IGBT等功率半導體今年以來供不應求且價格調漲，熱絡市況可望延續到明年。

至於化合物半導體需求持續轉強，包括應用在功率放大器（PA）的砷化鎵（GaAs）技術應用持續擴大，新一代的GaN及SiC技術也開始進入市場。

包括英飛凌、安森美等IDM廠仍主導功率及化合物半導體市場，但因IDM廠持續縮減8吋以下產能投資，並將前、中、後段製程委託不同業者代工，建立技術區隔確保智財權。

因此主攻中段晶圓薄化製程的昇陽半受惠最大，第3季合併營收5.63億元，歸屬母公司稅後淨利0.65億元，每股淨利0.49元，優於市場預期。

昇陽半在8吋晶圓薄化代工市場穩居龍頭地位，10月合併營收1.99億元，年增33.1％並創歷史新高，第4季營運樂觀。

由於昇陽半技術上已可提供8吋晶圓薄化至50微米並進入量產，與一般晶圓薄化仍在80～100微米情況相較，技術明顯領先，且平均良率逾99.6％，因此受惠於IDM廠持續提高委外訂單量。

昇陽半看準未來車電、工廠自動化設備、新能源對MOSFET及IGBT的需求，因此展開大規模的晶圓薄化擴產計畫，將由第2季的每月6萬片，年底前可望達每月8～10萬片，而明年則將擴大產能至10～13萬片。