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        行進中的寬能隙半導體
        Wide Band Gap Semiconductors in Progress
        • 2018/12/15
        • 4123
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        半導體產業發展至今經歷了三個階段,第一代半導體材料以矽(Si)為代表,第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)也已經廣泛應用於各類電子器件。相比第一代與第二代半導體材料,第三代半導體材料,又稱寬能隙半導體具有較大能隙(能隙 > 2.2eV)而名為寬能隙(WBG)半導體,主要包括碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅(ZnO),其中,發展較為成熟的是SiC和GaN。第三代半導體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術的革命,無論是照明、家用電器、消費電子設備、新能源汽車、智能電網、還是軍工用品,都對這種高性能的半導體材料有著極大的需求,近期國際能源與愛護環境議題的發酵,高效能與高整合度之電力電子應用發展,帶動寬能隙半導體在該領域之權重逐漸受重視,目前落實產業應用正處於萌芽期,預計2020年後電力電子將因寬能隙半導體的普及化再造高峰。

        【內容大綱】

        • 一、半導體材料的沿革與應用
        • 二、5G與汽車科技加速寬能隙半導體材料發展
        • 三、國際發展現況
        • IEKView
         

        【圖表大綱】

        • 表1、各類半導體之特性比較表
        • 圖1、SiC 之市場應用預測
        • 圖2、GaN 之市場應用預測
        • 圖3、電力電子之產業成長趨勢預測
        • 圖4、矽元件與寬能隙半導體之元件設計比較

         

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