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半絕緣型碳化矽基板及其在高頻元件之應用

Semi-insulating SiC and RF Applications

2018/02/23

  • IC元件與技術

碳化矽為近年快速發展的半導體晶圓材料,碳化矽功率元件優異的特性已逐漸導入各種應用領域,被視為未來重要節能技術,特別是近年電動車替代傳統內燃機系統的汽車政策逐漸明朗化後,因應節能,耐高溫,快速切換等車用元件的高性能及可靠性需求,對於碳化矽二極體與場效電晶體等功率元件的需求將快速成長。目前全球能供應高階半絕緣碳化矽基板的業者仍非常有限,市場明顯供不應求,加上電動車時代來臨以及其他節能應用所帶動的導電型碳化矽晶圓需求,預期導電型與半絕緣型碳化矽晶圓的產能可能同步吃緊,也使得半絕緣碳化矽基板成為5G高頻通訊時代戰火點燃前的關鍵材料。

【內容大綱】

  • 一、碳化矽為近年快速發展的半導體晶圓材料
  • 二、碳化矽與其材料特性
  • 三、半絕緣碳化矽與其製作方法
  • 四、高頻元件發展趨勢與半絕緣碳化矽之應用機會
  • 五、專家觀點

【圖表大綱】

  • 圖一、碳化矽,氮化鎵,矽的材料特性比較
  • 圖二、碳化矽PVT法晶體成長機構示意圖
  • 圖三、不同元素在4H碳化矽晶體中的能階位置
  • 圖四、射頻元件材料系統變化預估
  • 圖五、GaN on S.I. SiC (左)結構示意圖(右)元件
  • 圖六、射頻元件未來市場應用與規模

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