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由於NAND Flash價格去年大跌，導致三星、SK海力士、東芝及威騰、美光及英特爾等四大陣營在去年底減少晶圓產出，下修今年資本支出並推遲96層3D NAND擴產計畫，的確讓第一季NAND Flash價格出現緩跌情況。

不過，隨著上游原廠96層3D NAND新產能將在第二季後開出，加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量產，業界預估供給過剩及跌價壓力仍在。

去年上半年因為64層及72層3D TLC NAND產能開出，且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，與2D NAND製程的單顆NAND Flash容量僅128Gb/256Gb相較幾乎翻倍，也因此，去年NAND Flash價格一路走跌，去年底每GB價格跌破0.1美元並創下新低紀錄，NAND Flash廠也面臨營業利益明顯縮水壓力。

為了減緩NAND Flash跌價走勢，包括三星、美光等上游原廠在去年底減少晶圓產出，並下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新產能開出速度。

但因蘋果iPhone銷售不佳，智慧型手機生產鏈進入庫存調整，需求端明顯進入衰退，讓上游原廠減少供給的美意大打折扣，第一季NAND Flash價格續跌，只是跌幅略有縮小。

市場雖然預期智慧型手機生產鏈第二季庫存去化完成後將重啟NAND Flash採購，且供給端並無新產能開出，價格應可持穩，但因各家NAND Flash上游原廠將在第二季開出96層3D NAND新產能，且下半年後新廠也將加入量產，模組業者對NAND Flash價格看法仍然保守，預期跌價情況恐會持續到今年中。

據業界消息，各家NAND Flash原廠的新廠將在下半年後進入量產階段，其中規模最大的是三星的西安廠第二期，第三季將量產512Gb容量96層3D NAND。

美光Fab 10第三期預期會在今年第四季進入量產，投產產品以512Gb容量96層3D NAND為主。

至於東芝及威騰合資的Fab7將在會下半年完工，明年第一季512Gb容量96層3D NAND會開始進入量產階段。

集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市場均價季度跌幅可能達20％，第二季報價可能將續跌將近15％，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂。