- 工商時報,涂志豪/台北報導
- 2019/2/19 上午5:30
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由於NAND Flash價格去年大跌,導致三星、SK海力士、東芝及威騰、美光及英特爾等四大陣營在去年底減少晶圓產出,下修今年資本支出並推遲96層3D NAND擴產計畫,的確讓第一季NAND Flash價格出現緩跌情況。
不過,隨著上游原廠96層3D NAND新產能將在第二季後開出,加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量產,業界預估供給過剩及跌價壓力仍在。
去年上半年因為64層及72層3D TLC NAND產能開出,且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb,與2D NAND製程的單顆NAND Flash容量僅128Gb/256Gb相較幾乎翻倍,也因此,去年NAND Flash價格一路走跌,去年底每GB價格跌破0.1美元並創下新低紀錄,NAND Flash廠也面臨營業利益明顯縮水壓力。
為了減緩NAND Flash跌價走勢,包括三星、美光等上游原廠在去年底減少晶圓產出,並下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新產能開出速度。
但因蘋果iPhone銷售不佳,智慧型手機生產鏈進入庫存調整,需求端明顯進入衰退,讓上游原廠減少供給的美意大打折扣,第一季NAND Flash價格續跌,只是跌幅略有縮小。
市場雖然預期智慧型手機生產鏈第二季庫存去化完成後將重啟NAND Flash採購,且供給端並無新產能開出,價格應可持穩,但因各家NAND Flash上游原廠將在第二季開出96層3D NAND新產能,且下半年後新廠也將加入量產,模組業者對NAND Flash價格看法仍然保守,預期跌價情況恐會持續到今年中。
據業界消息,各家NAND Flash原廠的新廠將在下半年後進入量產階段,其中規模最大的是三星的西安廠第二期,第三季將量產512Gb容量96層3D NAND。
美光Fab 10第三期預期會在今年第四季進入量產,投產產品以512Gb容量96層3D NAND為主。
至於東芝及威騰合資的Fab7將在會下半年完工,明年第一季512Gb容量96層3D NAND會開始進入量產階段。
集邦科技DRAMexchange指出,今年第一季NAND Flash市場均價季度跌幅可能達20%,第二季報價可能將續跌將近15%,下半年有旺季需求挹注,跌幅可望略微收斂。
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