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【內容大綱】

• 一、製程步驟
• 二、結論

【圖表大綱】

• 圖1　背照式CMOS影像感測器製程結構及三維堆疊封裝流程
• 圖2　利用乾蝕刻設備將氧化保護層打開。(a)光學顯微鏡影像。(b)電子顯微鏡影像
• 圖3　以SUSS全自動設備製作之ZoneBond基板，邊緣Zone 2區域約1.5~2mm
• 圖4　以紅外線檢測 HT10.10 接合後無包覆氣泡
• 圖5　暫時接合製程後之厚度量測
• 圖6　研磨及拋光後出現之螺旋狀研磨痕跡
• 圖7　晶圓減薄後以紅外線量測設備量測晶圓厚度
• 圖8　晶片邊緣汙染問題
• 圖9　晶片邊緣汙染問題能夠藉由玻璃面邊緣切割解決
• 圖10　採用不同玻璃接合材料的晶圓分離結果
• 圖11　微凸塊製程去光阻及底電極蝕刻後結果
• 圖12　微凸塊與底部開孔對位誤差
• 圖13　製程整合應用於12”晶圓上
• 圖14　銅/錫微凸塊組裝接合後電子顯微鏡影像
• 圖15　組裝打線後照片